時(shí)間：2019年3月27日14：40—16：00
地點(diǎn)：主校區(qū)F205會(huì)議室
報(bào)告人：湘潭大學(xué)李正教授
報(bào)告題目：新型半導(dǎo)體粒子光子探測(cè)器的研發(fā)與制作
報(bào)告簡介：超純高阻硅探測(cè)器在國防，大科學(xué)裝置，航天，醫(yī)療儀器，工業(yè)及核反應(yīng)檢測(cè)，食品安全等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。報(bào)告人將從介紹傳統(tǒng)的硅微條硅像素探測(cè)器出發(fā)，重點(diǎn)描述其本人在國內(nèi)開發(fā)研制的新型大面積硅漂移探測(cè)器在脈沖星導(dǎo)航上的重大戰(zhàn)略應(yīng)用及其芯片的設(shè)計(jì)與制作。報(bào)告人發(fā)明的三維溝槽電極探測(cè)器的原理及器件模擬與樣片制作也會(huì)有相應(yīng)的介紹與描述。
主講人簡介：
李正，1958年11月出生，博士， 湘潭大學(xué)教授。1977年考入北京大學(xué)物理系，1981年畢業(yè)后以當(dāng)年CUSPEA(李政道教授倡辦的中美聯(lián)合培養(yǎng)物理類研究生計(jì)劃)身份到美國賓州大學(xué)攻讀博士學(xué)位，1986年10月畢業(yè)后一直在美國知名實(shí)驗(yàn)室工作，1993年年僅34歲任相當(dāng)于教授職稱的物理學(xué)家。李正博士是半導(dǎo)體探測(cè)器及其抗輻照加固方面的國際著名專家，在大面積、低漏電流硅探測(cè)器，3D結(jié)構(gòu)探測(cè)器，雜質(zhì)工程對(duì)硅探測(cè)器的輻射加固，輻照缺陷誘導(dǎo)退化機(jī)理等方面做出了杰出的貢獻(xiàn)，研制的探測(cè)器在世界各大加速器，美國航天器上都得到了廣泛的應(yīng)用。他發(fā)表SCI論文350余篇，他引7000余次，于2005年獲 Science and Technology獎(jiǎng)。2012年獲美國電氣與電子工程師協(xié)會(huì)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)。2016年獲第六屆中國僑界貢獻(xiàn)獎(jiǎng)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)獎(jiǎng)，2017年獲國務(wù)院僑辦“重點(diǎn)華僑華人創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)”。
科技處
理學(xué)院
2019年3月26日
